能够避免对晶体硅概况形成毁伤

该配备通过采用特殊材料、特殊布局设想、特殊活动平台,能够实现加工平台正在高速活动时连结高不变性、高精度,活动速度可达500mm/S,效率远高于国外设备。正在光学方面,按照单晶硅的光谱特征,连系工业激光的使用程度,采用了合适的波长、总功率、脉宽和沉频的激光器,最终实现了切割。

据引见,打破了国外对激光切割手艺的垄断,对进一步提高我国智能配备制制能力具有里程碑式的意义。我国首台半导体激光晶圆切割机研制成功,

中国长城副总裁、郑州轨交院院长刘振宇引见,晶圆切割是半导体封测工艺中不成或缺的环节工序。取保守的切割体例比拟,激光切割属于非接触式加工,能够避免对晶体硅概况形成毁伤,而且具有加工精度高、加工效率高档特点,能够大幅提拔芯片出产制制的质量、效率、效益。